TSMCは、3nmプロセスによる量産開始を祝う式典を12月29日に開催する事を明らかにした。

この式典は、台湾台南市のサイエンスパークにあるTSMCのFab 18で行われる。同ファブで最後の設備が設置されたことを祝して催され、今後数年間で同施設での3nm生産の拡大計画についても詳しく説明するようだ。

3nmプロセスの量産開始によって、この技術はTSMCが商業生産に用いる最新技術となる。来年には、3nm技術をベースに、より歩留まりの良いチップを生産するN3E（3nm Enhanced Edition）ノードの量産が予定されている。

TSMCの3nmプロセスでは、先行してGAA(Gate-All-Around) FETを採用しているSamsungとは対照的に、これまでと同様にFinFET（FinField-Effect-Transistor）テクノロジーを採用する。新たな3nmプロセスでは、昨年量産を開始した5nmプロセスと比較すると、10～15％速度が向上し、25～30％エネルギー使用効率が高まるとしている。

アナリストによると、AppleやIntelなどの国際的なブランドは、TSMCの3nmプロセスを発注すると予想されている。特にAppleは、新たなMacBook Proにおいて採用されるとみられる、M2 ProやM2 Maxと言ったAppleシリコンの製造に、TSMCの3nmプロセスを採用すると言われている。

また、TSMCはより洗練された2nmプロセスの開発も進めており、新竹に2nmファブを建設し、2025年に量産を開始する予定である。

2nmプロセスは、TSMCがGAA構造を採用する最初のプロセスになる。これにより、3nmプロセスと比較して、更に大きな性能向上が見込まれている。

12月初旬、新竹サイエンスパーク局のWayne Wang局長は、TSMCが新竹サイエンスパークのLongtanセクションに1nmプロセスのファブを建設する計画があると述べたが、TSMC自身はこの声明を出していない。

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• IT之家: 台积电 3nm 制程工艺将于下周量产